2011年5月16日晚上7 ：00，“I^.SEE”学术论坛第二十期报告会在玉泉校区教三441顺利举行，本次学术论坛有幸邀请到了旺宏电子的谢光宇经理来做报告。报告得到了很多同学的参与和关注。

本次谢光宇博士的报告主题是《前瞻闪存技术的挑战与展望》。他就当代闪存的发展现状，及下一代的闪存发展前景为我们展开了深入详细的分析和讲解。同时，他还介绍了旺宏电子在闪存领域近年来研发的成果，以及在IEDM大会上发表的论文内容。

报告的一开始，谢博士从半导体记忆体从人们日常生活中的广泛使用、云端时代下电脑、手机新的发展形势等角度，介绍了电子工业的发展潜力和未来半导体行业的巨大生机。他指出今后的市场将会继续蓬勃发展。

接下来，谢博士就闪存技术中存在的挑战，介绍了晶体管、集成电路的发展和演进。他以简洁、形象的语言描述了半导体存储器的分类和MOSFET与闪存记忆单元的区别。在谈到闪存的应用时，谢博士用深入浅出的比喻解释了NOR和NAND的不同，帮助同学们解决了不少困惑。

之后，谢博士向同学们介绍了国际上制造闪存芯片的各大厂商，以及他们在今后将会着力进行的研发方向。在实现闪存芯片的晶体管高密度的技术难关上，旺宏电子自主创新了3D堆叠的技术。谢博士为了帮助同学们更好地理解，还现场动画演示了这一技术的原理。在NOR的技术问题解决上，谢博士介绍了相变化记忆体，ReRAM，以及旺宏电子的PCM与OTS相结合的解决方案的专利。

最后，针对行业中存在技术难关和挑战，谢博士介绍了旺宏电子的企业文化和创新理念，并对下一代存储器进行了展望。他认为只有技术上不断创新和牢牢地把握市场， 一个企业才能持续不断地向前发展。

在报告的讨论环节，在场的许多同学非常踊跃积极地向谢博士提问和交流。同学们提出的一些有价值的问题和想法受到了谢博士的嘉奖和鼓励。谢博士将自己做研究的切身体会教给大家，他让大家要有挑战困难的决心，时刻保持强烈的好奇心，不耻下问，在学术、研究的道路上，不断探索和发展。

会后，仍有不少同学继续与谢博士进行了亲切的交流和互动。许多同学表示这次报告在学术研究上给了大家许多指导和启发。至此，“I^.SEE”学术论坛第二十场报告会顺利落下了帷幕。

信电系博士生会

2011.5.20